王占国，中国科学院半导体所研究员、博士生导师，中国科学院院士，半导体材料物理学家。

    1962年毕业于南开大学物理系。主要从事半导体材料、器件辐照效应和光学、电学性质等研究。提出混晶半导体中深能级展宽和光谱谱线分裂的物理模型，解释了它们的物理起因等。在国际著名学术刊物发表论文200余篇，先后获国家自然科学二等奖和国家科技进步三等奖，中国科学院自然科学一等奖和中国科学院科技进步一等奖，何梁何利科学与技术进步奖，国家重点科技攻关奖等10多项。