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专委会主任郑有炓院士等应邀参加第十四届全国MOCVD学术会议
发布时间:2016/8/24 11:38:00  浏览次数:1449

2016816-19日,由中国有色金属学会主办、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所等单位承办的第十四届全国MOCVD学术会议在吉林省延吉市顺利举办。本届大会围绕“新形势下的MOCVD+”主题展开,参会规模达到近500人。中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会(简称专委会)副主任申德振研究员、吴玲研究员担任本次大会主席。

科技部原副部长曹健林等多位领导莅临大会;专委会主任委员郑有炓院士应邀在大会开幕式上致辞;会议中,专委会顾问委员郝跃院士、王立军院士及副主任委员张荣教授、李晋闽研究员、江风益教授、沈波教授、杨辉研究员等受邀分别就氮化物半导体电子器件、半导体激光技术、深紫外固态光电器件、高光效黄光LED技术、异质结外延生长及器件主题做了精彩的大会报告。10余位专委会委员受邀做了分会邀请报告。本届会议对推动我国MOCVD学术交流、技术进步以及宽禁带半导体发展具有重要意义。

本次大会期间,研究决定了专委会将与中国电子学会电子材料学分会联合举办第二届全国宽禁带半导体学术会议。