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学术会议


第二届全国宽禁带半导体学术会议
发布时间:2016/11/14 17:28:00  浏览次数:4371

大会时间:20178月10日—20178月12日

大会地点:青海省西宁市

主办单位:中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会

中国电子学会电子材料学分会

承办单位:广东省科学院

广东省半导体产业技术研究院

第三代半导体产业技术创新战略联盟

大会简介:

近年来,宽禁带半导体已成为全球高技术领域竞争战略制高点之一,国际半导体及材料领域研究和发展的热点,基于宽禁带半导体材料半导体照明已经形成巨大规模的产业,并在电子功率器件领域继续深入发展。为推动我国宽禁带半导体领域的发展,加强交流与协同创新,由中国电子学会电子材料学分会发起并主办、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所承办的第一届全国宽禁带半导体学术会议于20151031-112日在苏州成功举行,参会规模近500人。

中国有色金属学会作为全国MOCVD会议主办方,十分关注和支持宽禁带半导体材料与器件的技术进步与产业发展,通过充分的调研后决定成立首个全国性宽禁带半导体学术组织—中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会,并于20151211日在广东省东莞市隆重举行成立仪式暨首届宽禁带半导体学术研讨会,来自国内宽禁带半导体学术界和产业界的专家学者进行了两天的学术交流。

2016年在延吉召开的14届全国MOCVD 会议期间,“宽禁带半导体专业委员会”与“电子材料学分会”联合开会讨论决定:全国宽禁带半导体学术会议自第二届开始将由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会和中国电子学会电子材料学分会共同举办;第二届全国宽禁带半导体学术会议定于20178月10日—8月12日在青海西宁市举行

  第二届全国宽禁带半导体学术会议将围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域开展广泛交流,促进产学研的相互合作和交流。深信这次会议必将对我国宽禁带半导体材料与器件的学术研究、技术进步和产业发展起到有力的推动作用。