11月22日，中国科学院公布了2019年增选院士名单，全国宽禁带半导体专业委员会副主任委员江风益教授和委员叶志镇委员当选中国科学院院士。

江风益教授，1984年本科毕业于吉林大学物理系，1989年研究生毕业于中国科学院长春物理研究所（现中国科学院长春光学精密机械与物理研究所），长期从事半导体发光方向研究工作，2016年获国家技术发明奖一等奖。

叶志镇教授，1978年本科毕业于浙江大学电机系，1982年研究生毕业于浙江大学光仪系、1987年获得浙江大学光仪系光学仪器专业博士学位，长期从事宽禁带半导体氧化锌等无机光电材料及关键技术研究。作为第一完成人，获国家自然科学二等奖1项，省科技一等奖3项，省部科技二等奖4项。

两位院士的当选，表明我国宽禁带半导体产业取得进展，获得了科技界的认可，有助于凝聚专委会智力优势资源，更好地为我国解决“卡脖子”问题做出贡献。