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第四届全国宽禁带半导体学术会议在厦门胜利召开
发布时间:2021/11/19 9:01:00  浏览次数:848


117-10日,第四届全国宽禁带半导体学术会议在厦门成功举行,此次会议由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会(以下简称专委会)、中国电子学会电子材料分会和第三代半导体产业技术创新战略联盟联合主办,厦门大学和南京大学共同承办。

本届会议共计收到学术交流论文355篇,参与单位达150余家,论文量和参与单位均再创新高;来自国内宽禁带半导体领域学术界、产业界的专家学者、科研技术人员、院校师生、企业家代表超500人在积极配合大会组委会做好疫情防控的前提下赴现场参会,与会代表围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域开展广泛交流,促进产学研用的交流合作。大会主题报告环节开通了线上直播,吸引直播观看人次超过13000人。

118日上午的开幕式上,专委会常务副主任委员张国义教授和专委会副主任委员、厦门大学校长张荣教授分别代表会议主办方和会议承办方致辞;2014年诺贝尔物理学奖获得者、名古屋大学天野浩教授通过视频对大会的召开表示祝贺;专委会顾问委员、中科院院士、国家自然科学基金委信息学部主任郝跃教授,专委会副主任委员、第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲,厦门科技局孔曙光局长参加会议并致辞。专委会副主任委员,本届会议执行主席康俊勇教授主持会议开幕式和闭幕式。


                                郝跃院士致辞                                 天野浩教授视频致辞

郝跃院士致辞时表示,宽禁带半导体(也称第三代半导体)被列为国家“十四五”发展规划中,国家自然科学基金委非常关注宽禁带与超宽禁带半导体领域,希望从基础研究的角度不断推进宽禁带和超宽禁带半导体的发展,先从重大项目群开始,成熟后考虑再推进重大研究计划,推进宽禁带和超宽禁带半导体基础研究的关键和核心技术的突破;希望广大业界同仁利用这次机会,探讨宽禁带半导体的发展,以及如何利用好机遇,不断推进产业的进步和发展。

天野浩教授视频致辞时表示,宽禁带半导体在解决全球性的问题上,正变得越来越重要,比如硅基功率器件面临的不足,可以利用宽禁带半导体来解决,深信会议能圆满成功,所有与会者都能享受到精彩的演讲和热烈的讨论,并启迪下一步的创新和研发。

张国义教授致辞时表示,以氮化镓、碳化硅等为代表的宽禁带半导体发展是国际热点,在半导体照明领域已经形成规模化的产业,在功率器件和射频器件方面不断深入发展,宽禁带半导体未来会越来越宽广。全国宽禁带半导体学术会议对于促进行业交流和协同创新起到了积极的作用,得到高度认可,希望大家通过此次会议广泛的讨论交流,发现合作机会,实现优势互补,助力我国抢占宽禁带半导体国际战略制高点,推动科学技术发展进步。

                                          张国义教授致辞                                 张荣教授致辞

张荣教授致辞时表示,厦门大学是国内最早创办半导体学科的高校之一,厦门大学半导体研究和厦门半导体产业的发展共同进步,在政府和产业的支持下不断取得新进展,利用地缘优势,厦门大学与当地产业联合攻关,推动宽禁带半导体的技术转化和创新。今年是国家“十四五”的开局之年,站在新起点,新征程上,如何迈好我国宽禁带半导体发展的步伐至关重要,面对当前的科技博弈,科技的自立自强,是应对风险挑战的必然选择。


                              吴玲理事长致辞                                 厦门科技局孔曙光局长致辞   

  

吴玲理事长致辞时表示,从国际形势来看,我们面临非常严峻的发展环境,宽禁带半导体不仅仅在支撑双碳实现,支撑数字化,智能化以及产业提升等方面具有非常重要的作用,而且如果能和我国巨大的能源、交通、信息、智能制造巨大市场需求相结合,有可能形成全球的技术优势和产业制衡,重塑全球半导体产业格局。希望大家利用好这次会议充分交流讨论,推动政产学研深度融合,以及学科的交叉融合发展。

    孔曙光局长致辞时表示,宽禁带半导体的发展速度非常快,而厦门产业发展基础好,发展速度快,在光电领域已经有很好的积累,进一步发展宽禁带半导体中具有优势。2019年厦门就启动了未来产业培育工程,进行抢先布局,第三代半导体是其中之一,力争2025年实现第三代半导体产业相关的产值能达到200亿元以上,希望大家共同努力,共创美好明天。


                                              大会主题报告精彩瞬间



在大会主题报告环节,郝跃院士围绕“宽禁带半导体电子器件新进展”,三安光电股份有限公司林科闯总经理围绕“大功率GaN蓝绿激光器芯片设计、生长和制作 ”,张荣教授围绕“基于宽禁带半导体量子结构的物理效应与器件应用”,专委会副主任委员、中国科学院半导体研究所李晋闽研究员围绕“紫外LED研发及应用进展”,厦门大学讲座教授邱宇峰围绕“18 kV SiC IGBT的研制”,TKK创新实验室教授Yogi Ota围绕“宽带隙半导体、研发历史和实践”,专委会委员、香港科技大学刘纪美教授围绕“高性能GaN垂直沟槽栅极MOSFET”,专委会委员、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所徐科研究员围绕“氮化镓单晶材料的HVPE法与液相法生长研究”,英国谢菲尔德大学王涛教授围绕“用于微型显示器和VLC的μLEDHEMT研究”,专委会副主任委员、北京大学理学部副主任沈波教授围绕“高质量AlN单晶衬底和外延薄膜的制备”,台湾交通大学郭浩中教授围绕“新型Micro-LED在显示与通信领域的应用”,专委会副主任委员、山东大学徐现刚教授围绕“碳化硅单晶衬底的研究进展”带来了精彩的主题报告。大会精彩主题报告,从技术、产业,趋势的角度,广度与深度结合,高屋建瓴,酣畅淋漓,带来一场知识与认知的激荡。

本届会议同期设置了“材料生长与表征”、“光电子器件及应用”、“电力电子器件及应用”、“新型宽禁带半导体材料及应用”分会场,并有POSTER交流和企业展览展示;此外,本届会议首次设立青年论坛,为宽禁带半导体领域的年轻学者提供交流平台。会议期间还举行了圆桌讨论,围绕当前宽禁带半导体领域当前动态和发展趋势、以及我国宽禁带半导体发展面临的挑战与机遇展开讨论交流。

本届会议的成功召开离不开我国疫情防控卓有成效的有力举措;会议组织和内容均受到与会代表的高度评价,认为本届会议是一场丰富多彩高水平、高质量的学术盛会,体现了我国宽禁带半导体领域在国际上已整体进入了领跑、并跑、跟跑并存的发展阶段,并呈现更多领跑的点不断涌现的良好发展态势。

    全国宽禁带半导体学术会议每两年举办一次,已发展成为我国宽禁带半导体领域的品牌会议,对促进我国宽禁带半导体领域学术交流与协同创新发挥了积极作用。