2024年12月14-15日，由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会（以下简称“专委会”）主办，中国科学院半导体研究所、南昌实验室、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、广东省科学院半导体研究所联合承办的氮化镓基激光器关键技术专题研讨会在江西南昌成功举行。专委会顾问委员、中国科学院院士、南昌实验室主任江风益教授，专委会顾问委员、中国科学院院士、中科院半导体研究所郑婉华研究员，专委会主任委员、北京大学沈波教授，专委会顾问委员、中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所杨辉研究员，专委会副主任委员、中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所徐科研究员，专委会副主任委员、中科院半导体研究所赵德刚研究员，专委会副主任委员、厦门大学康俊勇教授，专委会副主任委员兼秘书长、广东省科学院半导体研究所陈志涛教授级高工，专委会委员、清华大学汪莱教授，专委会委员、中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所孙钱研究员，专委会委员、吉林大学张源涛教授，专委会委员、大连理工大学梁红伟教授，专委会委员、中微半导体设备有限公司副总裁郭世平，专委会委员、杭州奥趋光电公司首席执行官吴亮博士，专委会副秘书长、南昌实验室全知觉研究员等近60位来自行业科研院所和主要企业的专家学者参加会议。

研讨会开幕式由专委会副主任委员、会议主席赵德刚研究员主持，江风益院士致欢迎辞，指出近年来氮化镓半导体激光器在学术与产业领域均取得了长足进步，为进一步推动我国该领域发展进步，组织涵盖从衬底、外延、器件、应用的全链条深入交流研讨显得尤为必要，以期通过这种交流研讨促进我国该领域创新能力提升，为我国高质量发展贡献GaN基激光器领域力量。沈波教授代表专委会致辞中简要回顾了系列专题研讨会的由来及今年有关工作情况，并指出，通过举办这种小型的、聚焦的技术研讨会，以深入挖掘并探讨一些真实存在的问题，进而为国家提供有价值的决策咨询。

会议分为报告和研讨两个环节。报告环节于14日下午举行，先后由徐科研究员、康俊勇教授主持，邀请了10位专家（其中产业界和学术界各5位），围绕氮化镓激光器衬底、外延、器件、应用进行了专题报告，并重点就当前所面临的问题和挑战以及相应解决方案的思考做了分享；杨辉研究员对报告环节作总结，对报告的整体安排和报告质量给与高度评价。

研讨环节于15日上午举行，由赵德刚研究员主持，与会嘉宾重点围绕应用需求、器件性能、材料技术、装备等议题展开深入研讨，研讨氛围热烈，在多个问题上碰撞交流，形成了有价值的意见。郑婉华院士对本次会议进行了总结，她充分肯定了会议的成效，认为与会嘉宾的交流研讨都是开诚布公、富有深度的，同时认为本次会议作为我国首次聚焦GaN基激光器领域的全国性研讨会，对我国该领域发展进步具有重要意义。

会议期间，受专委会主任委员沈波教授委托，专委会副主任委员兼秘书长陈志涛教授级高工总结报告了2024年系列专题研讨会的组织概况、组织成效、以及未来计划；报告指出，系列专题研讨会通过紧扣目标定位，实现了预期效果，同时系列专题研讨会的成功召开充分体现了专委会强的组织凝聚力。

本次研讨会得到了半导体显示材料与芯片重点实验室、苏州镓锐芯光科技有限公司、苏州纳维科技有限公司、安徽格恩半导体有限公司、广西飓芯科技有限责任公司的大力支持。

【专题研讨会背景】近年来，我国宽禁带半导体领域技术和产业取得长足发展，在技术研发方面，处于国际并跑甚至领跑水平的技术进展不断涌现，在此背景下，我国该领域创新能力的进一步提升对深度的学术技术交流与碰撞提出了现实而迫切的需求。为此，中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会决定举办系列聚焦细分领域的专题研讨会，专题研讨会的定位要求在于既交流已有进展，更鼓励面向未来深入研讨当前待研究的科学问题或存在的技术难题，以及探讨相应解决之道。专委会通过举办该系列专题研讨会，以期对我国宽禁带半导体领域更多的0到1创新能力提升发挥积极作用，进而促进我国该领域科学研究水平提升和技术进步，贡献产业高质量发展。