第六届全国宽禁带半导体学术会议

会议通知（第二轮）

 

会议时间:2025年8月10日-13日

会议地点:中国·大连

主办单位:中国有色金属宽禁带半导体专业委员会

      中国电子学会电子材料学分会

承办单位:大连理工大学

      东北师范大学

      第三代半导体产业技术创新战略联盟

协办单位:集成光电子全国重点实验室

      宽禁带半导体超越照明材料与技术全国重点实验室

      国家第三代半导体技术创新中心（苏州）

      北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

  

一、会议简介

  近年来，宽禁带半导体已成为国际半导体及材料领域研究和发展的热点，是全球高技术竞争战略制高点之一。宽禁带半导体在照明领域已经形成巨大规模的产业，并在功率电子、射频和光电子器件等领域继续深入发展。为推动我国宽禁带半导体领域的发展，促进产学研交流与协同创新，中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会、中国电子学会电子材料学分会共同主办全国宽禁带半导体学术会议，会议每两年一届，至今已成功举办了五届，已发展成为我国宽禁带半导体领域的行业盛会。

  2025年，“全国宽禁带半导体学术会议”迎来了第六届，会议由大连理工大学、东北师范大学和第三代半导体产业技术创新战略联盟联合承办。届时，来自国内宽禁带半导体领域学术界、产业界的专家学者、科研技术人员、院校师生、企业家代表等，将围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域开展广泛交流，促进产学研用的交流合作。这次会议必将对我国宽禁带半导体材料与器件的学术研究、技术进步、产业发展起到有力的推动作用。

二、组织机构

名誉主席：甘子钊、王占国、郑有炓

顾问委员会（按姓氏首字母排序）：

褚君浩、杜国同、顾 瑛、关白玉、郝 跃、黄 如、贾明星、

江风益、李爱珍、李晋闽、李树深、刘纪美、刘 明、刘 胜、

罗 毅、申德振、孙祥桢、王立军、许宁生、杨德仁、叶志镇、

俞大鹏、张国义、张 荣、张 跃、郑婉华

大会主席：刘益春

共同主席：沈 波、杨 辉、吴 玲

程序委员会

主 席: 徐 科

副主席：黎大兵、张源涛、朱嘉崎

委 员（按姓氏首字母排序）：

敖金平、蔡树军、陈长清、陈敦军、陈 弘、陈 敬、陈堂胜、

陈万军、陈小龙、陈秀芳、程 凯、迟 楠、单崇新、丁琪超、

董博宇、冯士维、冯志红、顾书林、贺东江、黄伯宁、黄 丰、

黄 凯、康俊勇、赖占平、李国强、梁 建、刘 斌、刘国友、

刘建平、刘木清、刘 榕、刘斯扬、刘新宇、刘 扬、龙世兵、

陆 海、罗小蓉、马晓华、毛 维、欧 欣、潘 毅、裴 轶、

彭俊彪、皮孝东、邱宇峰、盛 况、孙 钱、孙伟锋、孙小卫、

孙晓娟、唐 宁、陶绪堂、万成安、万玉喜、汪 莱、王德君、

王 钢、王宏兴、王建峰、王江波、王军喜、王来利、王 立、

王新强、吴毅锋、肖国伟、徐海阳、徐士杰、徐现刚、许福军、

薛玉雄、闫建昌、杨富华、叶建东、伊晓燕、于洪宇、云 峰、

张保平、张 波、张国旗、张进成、张金风、张 龙、张乃千、

张清纯、郑雪峰、张玉明、赵德刚、赵丽霞、郑晨焱

组织委员会

主 席: 梁红伟  

副主席：陈志涛、阮军、张书明

委 员（按姓氏首字母排序）：

蔡端俊、曹峻松、陈 鹏、陈义强、陈志忠、程红娟、方 方、

方文饶、房玉龙、和巍巍、黄少华、黄文海、耿 博、龚 政、

郭 清、郭世平、郭 炜、郝茂盛、胡卫国、化梦媛、黄火林、

黄 森、何晨光、贺致远、纪志坡、贾 锐、贾志泰、蒋 科、

矫淑杰、江 灏、鞠光旭、孔月蝉、李炳生、李金钗、李述体、

李忠辉、梁剑波、刘 超、刘军林、刘可为、刘 雯、刘新科、

刘玉怀、刘召军、刘志强、刘宗亮、陆 敏、吕元杰、梅云辉、

马剑钢、苗振林、母凤文、牛萍娟、潘尧波、齐红基、全知觉、

任国强、赛青林、桑立雯、宋 波、孙海定、孙文红、孙永强、

田朋飞、王光绪、王嘉铭、王茂俊、王 琦、王荣华、王鑫华、

王英民、魏同波、汪炼成、吴 亮、吴嘉伟、吴雅苹、谢志国、

徐明升、杨 霏、杨兰芳、杨 树、杨学林、殷 红、于彤军、

张佰君、张 峰、张 辉、张纪才、张建立、张景文、张苇杭、

张 嵩、张 雄、张宇昊、张 韵、张紫辉、赵璐冰、赵 维、

周春华、周 弘、周 琦

大会秘书处

秘书长：张振中、黄火林

副秘书长：赵 红、张克雄、张赫之

成 员：贾欣龙等

 

三、主要日程

日期	上午	下午
8月10日（星期日）	注册报到	注册报到、专题讲座
8月11日（星期一）	开幕式及大会报告	分会报告
8月12日（星期二）	分会报告	大会报告及闭幕式
8月13日（星期三）	返程

四、大会主题

绿色能源与智能时代的宽禁带半导体技术

五、会议征文方向：

1.材料生长(氮化物半导体、氧化物半导体、碳化硅、金刚石等)

2.材料物性和表征技术(光、电、磁、热性质、缺陷物理等)

3.光电子器件及其应用(LED、Micro-LED、LD、光电探测器等)

4.电子器件及其应用(射频电子器件、功率电子器件、传感器及集成电路等)

5.新型宽禁带材料与器件(超宽禁带半导体、二维宽禁带半导体、有机宽禁带半导体等)

6.辐射及高能粒子探测器件

征文要求：

1.符合上述内容的论文摘要；

2.论文摘要主题突出、内容层次分明、数据准确、论述严谨、结论明确、采用法定计量单位；

3.论文摘要须以WORD文档格式，包含标题、作者及其单位地址、正文、图表、参考文献等在内不超过一页A4纸；

4.提交截止日前,以电子邮件方式（投稿邮箱: kxzhang@dlut.edu.cn、hez.zhang@dlut.edu.cn‬‬、zhangzhenzhong@nenu.edu.cn）提交至会议组委会秘书组；相关模板可登录大会官网（http://www.wbsc.org.cn）或查询附件；

5.所有论文摘要均编入会议文集。

六、重要截止日期

1.论文摘要提交截止日：2025年4月30日延期至7月11日

2.报告录用通知截止日：2025年6月15日延期至7月15日

3.注册费优惠截止日：2025年7月10日

七、会议注册费

1.普通代表（A类票）：

2800元（含会议文集、日程等会议资料及会议期间相关服务）

2.学生代表（B类票）：

2300元（与普通代表会议待遇相同，但须提交相关证件）

3.7月10日前，报名缴费可享受优惠：

普通代表2500元；学生代表2000元。（享受上述相同待遇及服务）

 

八、注册费缴费方式

1.通过银行汇款

开户行：中国工商银行北京市分行百万庄支行

账  号：0200001409014413573

名  称：中国有色金属学会

注：银行汇款请务必备注“宽禁带会议+参会代表姓名”

2.线上缴费，登录官网，http://www.wbsc.org.cn，微信或支付宝   

3.现场缴费（接受扫码、刷卡）

九、会议信息及联系人

1.会议官网：http://www.wbsc.org.cn

（会议详细信息请扫码关注大会官网）

2.会议酒店   

大连香格里拉大酒店（大连市中山区人民路66号）

3.交通信息

车站和机场至香格里拉酒店交通信息
位置	距离	车程
大连站(火车站)	距离3.7公里	驾车约10分钟
大连北站(高铁站)	距离18公里	驾车约25分钟
大连周水子机场	距离13公里	驾车约20分钟

 

公交和地铁至香格里拉酒店交通信息

公交：乘坐‌16路‌、‌5路‌、‌201路‌等公交车在‌中山广场站‌下车，沿人民路步行约500米即可到达。‌‌‌‌

地铁;乘坐地铁2号线至‌中山广场站‌或‌友好广场站‌下车，出站后步行5-10分钟即可到达酒店。

十、论文征集联系人

张克雄：15382208398；‬‬Email: kxzhang@dlut.edu.cn‬‬

张赫之：13478911634；Email: hez.zhang@dlut.edu.cn‬‬

张振中：18626668329；‬ Email: zhangzhenzhong@nenu.edu.cn

十一、合作咨询

参会咨询：

芦老师：13601372457             E：lul@casmita.com

商务合作：

贾先生：18310277858             E：jiaxl@casmita.com

张小姐：13681329411             E：zhangww@casmita.com

参会代表财务咨询：

庞老师：15010359809

 

 

热烈欢迎相关领域的专家、学者、行业企事业单位参会交流！

 

 

 

  第六届全国宽禁带半导体学术会议组委会秘书处

     2025年6月29日