8月10日-13日，由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会（以下简称“专委会”）、中国电子学会电子材料分会共同主办，大连理工大学、东北师范大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟承办的第六届全国宽禁带半导体学术会议在大连顺利召开。中国有色金属学会副理事长兼秘书长高焕芝，专委会顾问委员、中科院院士、东北师范大学刘益春教授，专委会顾问委员、中科院院士、武汉大学刘胜教授，专委会顾问委员、美国工程院院士、香港科技大学刘纪美教授，专委会顾问委员、第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲，专委会主任委员、北京大学沈波教授，辽宁省工业和信息化厅党组成员、副厅长杜长征，大连理工大学副校长李成恩，专委会副主任委员、中科院苏州纳米技术与仿生研究所徐科研究员，专委会副主任委员、厦门大学康俊勇教授，专委会副主任委员、西安电子科技大学张进成教授，专委会副主任委员、南京大学陆海教授，专委会副主任委员兼秘书长、广东省科学院半导体研究所陈志涛教授级高工等700余人出席会议。

全国宽禁带半导体学术会议于2015年在苏州第一次举办，此后每两年举办一次，迄今已成功举办六届，会议规模和影响力持续增强，已成为我国宽禁带半导体领域的行业盛会。本届会议大会主席、程序委员会主席和组织委员会主席分别由刘益春院士、徐科研究员和专委会委员、大连理工大学梁红伟教授出任，会议共收到近300份投稿，参会代表在宽禁带半导体各个细分领域进行了广泛而深入的交流，会议取得圆满成功。